M00100 - SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様

免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡ SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。 単結晶シリコンウェーハはすべての集積回路デバイスおよびその他の多くの半導体デバイスに用いられている。多くのデバイス製造ラインで共通の製造設備を使用するためにはウェーハの寸法の標準化が必要である。 さらに，技術の進歩に伴い高密度の集積回路の各要素の微細化がますます進んだ結果，ウェーハのその他の品質特性を標準化することが有益になった。 この仕様はシリコンウェーハの基本寸法およびいくつかの基本特性について規定する。ここでは鏡面研磨ウェーハのみならずエピ用基板ウェーハおよびその他のシリコンウェーハを取り扱う。 これらの仕様は，半導体デバイスおよび集積回路デバイス製造に使用される高純度（電子回路グレード）単結晶鏡面研磨シリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項をカバーする。そのようなウェーハは通常，スライス前に直径が均一となるように研削された円筒状の単結晶インゴットからスライスされる。また，これら仕様はエピ，アニール，SOIウェーハを含むその他のウェーハ種類の基板（あるいはスタートウェーハ）として使用することが意図された電子回路グレードのシリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項もカバーする。 鏡面研磨ウェーハの寸法基準は以下の分類で規定されている。 ウェーハ厚さ，TTV，バウ，ワープの規定値は裏面膜付け処理，外因性ゲッタリング処理，またはその他の熱処理前ウェーハに適用される。 ウェーハ購入仕様にはさらなる品質特性がその数値をきめる検査方法とともに必要である。本標準ではこれらの諸特性と関連試験方法のリストを示す。このリストはあらゆる鏡面研磨ウェーハ，または基板の購入仕様を作成するための体系的基盤を提供するものであり，購買実務に利用されることを期待している。 ここに定める仕様標準は少なくとも1回以上鏡面研磨されたプライム