M07600 - SEMI M76 - 開発用直径450 mmシリコン単結晶鏡面ウェーハの仕様

NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. 免責事項：　このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡ SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。   本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年4月30日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年6月にwww.semi.orgで入手可能となる。 　 この仕様が適用される開発用ウェーハは，直径450 mm単結晶シリコンウェーハ上に高集積ICを生産するのに必要な製造プロセス，製造装置および評価装置の研究開発に使うことを意図している。直径450 mmデバイス用（プライム）ウェーハの形状仕様をサポートするのに必要な測定法や測定技術を築くためにも使える。 　 開発に必要とされる450 mm単結晶シリコン鏡面ウェーハの形状と結晶方位をこの仕様は対象とする。本文書は，デバイス用ウェーハの形状仕様およびテクノロジーレベルに固有なガイドラインに取って代わられるべきである。 　 完全な購入仕様には，それを測定する評価法と共に物理特性を追加する必要がある。もし測定装置がない場合には，合否条件は，サプライヤと顧客の間での合意が必要である。 　 いくつかのプロセス装置とユニットプロセスを開発するのに使うウェーハの仕様を装置メーカ他が決めるのを支援するガイダンスがこの仕様には含まれている。 　 450 mmウェーハキャリア，ロードポート，自動材料搬送シ