E07800 - SEMI E78 - 装置のための静電気放電（ESD）と静電気吸着（ESA）の評価と管理へのガイド

本スタンダードは，global Metrics Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2012年8月30日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2012年9月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は1998年9月発行。前版は2009年3月発行。 　 この文書の目的は，半導体製造装置の中で静電気電荷および電界に起因した生産性への悪影響を最小にすることである。本文書は，半導体製造に使われる装置が静電気的な両立性を確立するためのガイドである。半導体工場全体の静電気的な両立性は，SEMI E129に述べている。 　 静電気の表面電荷は，半導体製造環境の中で多くの望ましくない効果を引き起こす。 　 静電気放電（ESD： electrostatic discharge）は製品とレチクルに損傷を与える。また，ESDイベントは電磁干渉（EMI： electromagnetic interference）を引き起こし，その結果，設備故障が発生する。 　 帯電したウェーハやレチクルの表面は異物を吸着（静電気吸着，またはESA： electrostatic attraction）し，不良率を増やす。また，製品に存在する電荷は，装置故障や製品自体の破壊の原因となることがある。 　 静電気による装置動作上の問題と製品欠陥の増加は，半導体製造装置の所有コスト（COO： cost of ownership）へのマイナス要因となる（SEMI E35を参照のこと）。 　 この文書は，装置製造業者が装置の設計および試験を行う際に使用される。記載された試験方法は，装置の動作確認と装置の購入仕様で両立性を確認するために装置製造業者によって使用される。 　 半導体プロセス技術は，より微細化の方向に進み続けるであろう。静電気の許容可能なレベルは，微細化にともなって減少するであろう。この文書は，製造中の製品に適した装置の静電気限界に関する推奨値を規定する。International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)に含まれる形状サイズを参照。 　 この文書の適用範囲は，測定方法と