M00900 - SEMI M9 - 鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様

本スタンダードは，global Compound Semiconductor Materials Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年12月21日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2011年2月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は1986年発行，前版は2008年3月に発行された。   本仕様は，半導体および電子デバイス製造に使用される単結晶高純度ガリウムヒ素ウェーハの2つのグループの基板に対する要求条件について述べている。寸法と結晶方位の特性および表面欠陥の限度のみが下記に標準化された性能として述べられている。   Subordinate Documents: SEMI M9.1-96E (Reapproved 0308) — Standard for Round 50.8 mm Polished Monocrystalline Gallium Arsenide Wafers for Electronic Device Applications SEMI M9.2-96E (Reapproved 0308) — Standard for Round 76.2 mm Polished Monocrystalline Gallium Arsenide Wafers for Electronic Device Applications SEMI M9.3-89 — Standard for Round 2 inch Diameter Polished Monocrystalline Gallium Arsenide Slices for Optoelectric Applications SEMI M9.4-89 — Standard for Round 3 inch Diameter Polished Monocrystalline Gallium Arsenide Slices for Optoelectric Applications SEMI M9.5-96E (Reapproved 0308) — Standard for Round 100 mm Polished Monocrystalline Gal