M03600 - SEMI M36 - 低転位密度GaAs基板のエッチピット密度（EPD）測定方法
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本試験方法は，Global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されたもので，日本地区スタンダード委員会材料部会が直接責任を持つ。現版は1999年3月17日に日本地区スタンダード委員会にて承認された。1999年4月にまずSEMI On Lineで入手可能となり，1999年6月発行に至る。 本文書は，低転位密度GaAsウェーハのエッチピット密度（EPD）を測定する方法を規定する。 Referenced SEMI StandardsNone.
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