M03900 - SEMI M39 - 半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法
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本試験方法は，Global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されたもので，日本地区化合物半導体材料委員会が直接責任を負うものである。現版は1999年6月1日に日本地区スタンダード委員会にて承認された。1999年8月にまずSEMI On Lineで入手可能になり，1999年9月発行に至る。 この文書の目的は抵抗率を測定し，かつVan der Pauw法によって半絶縁GaAs単結晶のホール移動度を決定する方法を規定することである。特に，この文書は商業的な半絶縁GaAs単結晶のための簡易で実際的な方法を規定する。 Referenced SEMI StandardsNone.
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