M06800 - SEMI M68 - 測定した高さデータ配列から曲率法ZDDを使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年9月4日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年10月にwww.semi.orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2007年3月発行，前版は2008年11月に発行された。 ウェーハエッジ近傍形状は半導体素子工程の歩留に大きく影響する。 エッジ近傍の幾何学的特性情報は製造者や消費者がウェーハの寸法特性が与えられた幾何学的要求を満たしているかどうか決定することを手助けできる。 ZDD法は半導体デバイス製造プロセスで使われるウェーハのエッジ近傍の曲率形状を定量化する。   この作業法または提案されたエッジ近傍形状評価法は，材料購入仕様に使うよりむしろ，プロセスを管理するツールとして使うことに留意すべきである。 　 Referenced SEMI StandardsSEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon WafersSEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate SystemSEMI M59 — Terminology for Silicon TechnologySEMI M67 — Practice for Determining Wafer Near-Edge Geometry from a Measured Thickness Data Array Using the ESFQR, ESFQD and ESBIR MetricsSEMI M70 — Practice for Determining Wafer-Near-Edge Geometry Using Partial Wafer Site FlatnessSEMI MF1530 — Test Method for Measuring Flatness, Thickness, and Total Thickness Variation on Silicon Wafers by Automated Non-Contact Scanning