M06700 - SEMI M67 - 測定した厚さデータ配列からESFQR，ESFQD，ESBIR METRICS法を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年9月4日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年10月にwww.semi.orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2006年11月発行，前版は2008年11月に発行された。 ウェーハエッジ近傍形状は半導体素子工程の歩留に大きく影響する。 エッジ近傍の幾何学的特性情報は製造者や消費者がウェーハの寸法特性が与えられた幾何学的要求を満たしているかどうか決定することを手助けできる。 この作業法は半導体素子工程で使われるウェーハのエッジ近傍形状の平坦性状況を定量化するのに適している。 ESFQR，ESFQDまたはESBIR metric法はSFQR，SFQDまたはSBIRのような従来法よりもエッジ近傍形状の平坦性状況を定量化するのに更に適している。ESFQR，ESFQD，ESBIRは故意に除外された領域を除くウェーハエッジ上のすべての角度位置で充分にかつ矛盾なくエッジ近傍形状を定量化する。一方，SFQR，SFQD，は異なる角度位置で異なった処理をし，多くの場合はウェーハエッジの全領域をカバーしていない。 エッジ近傍形状評価法は，材料購入仕様に使うよりむしろ，プロセスを管理するツールとして使うことに留意すべきである。 他にもエッジ近傍形状評価法があり，ZDD， ROA， PSFQRのような他の概念を定量化するものもある。 Referenced SEMI StandardsSEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon WafersSEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate SystemSEMI M59 — Terminology for Silicon TechnologySEMI M68 — Practice for Determining Wafer Near-Edge Geometry from a Measured Height Data Array Using a Curvature Metric, ZDDSEMI M69 (Preliminary) — Practice for Determining Wafer Near-Edge Geometry Using Roll-Off Amount, ROASEMI M70 — Practice for Determining Wafer-Near-Edge Geometry Using Partial Wafer Site FlatnessSEMI MF1530 — Test Method for Measuring Flatness, Thickness, and Total Thickness Variation on Silicon Wafers by Automated Non-Contact Scanning