M06000 - SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法

本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2005年11月29日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2006年2月にwww.semi.orgで，そして2006年3月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2005年1月発行，前版は2005年3月に発行された。   E本スタンダードは2006年5月に編集上の修正がなされた。修正箇所は，¶10.2.7である。   本スタンダードは，GOI（Gate Oxide Integrity：ゲート酸化膜の完全性）評価をするにあたり，ウェーハ評価の固有事項・問題について記載してある。より一般的な評価法全般については，§3の参照スタンダード記載の手法に準ずる。M51でのTZDBは，偶発性破壊モード(Bモード)と摩耗破壊モード(Cモード)による不良率を評価するのに有効である。本評価法は，TZDBより高い感度で偶発性破壊モードを検出するのに有効である。 　 Referenced SEMI StandardsSEMI C3.6 — Standard for Phosphine (PH3) in Cylinders, 99.98% QualitySEMI C3.54 — Gas Purity Guideline for Silane (SiH4)SEMI C21 — Specifications and Guideline for Ammonium HydroxideSEMI C27 — Specifications and Guidelines for Hydrochloric AcidSEMI C28 — Specifications and Guidelines for Hydroflouric Acid SEMI C30 — Specifications and Guidelines for Hydrogen PeroxideSEMI C35 — Specifications and Guideline for Nitric Acid SEMI C38 — Guideline for Phosphorus OxychlorideSEMI C41 — Specifications and Guidelines for 2-PropanolSEMI C44 — Specifications and Guidelines for Sulfuric AcidSEMI C54 — Specifications and Guidelines for OxygenSEMI C59 — Specifications and Guidelines for NitrogenSEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon WafersSEMI M51 — Test Method For Characterizing Silicon Wafers by Gate Oxide Integrity. SEMI M59 — Terminology of Silicon Technology (Reapprpved2000)SEMI MF1771 — Standard Test Method for Evaluating Gate Oxide Integrity by Voltage Ramp Technique