M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様

本仕様は，global Compound Semiconductor Materials Committeeで技術的に承認されている。現版は2006年1月16日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2006年2月にwww.semi.orgで，そして2006年3月にCD-ROMで入手可能となる。   E本スタンダードは2006年8月に編集上の修正がなされた。修正箇所は表R2-2である。   サファイア基板は，窒化ガリウムと関連する薄膜のヘテロエピタキシャル成長に使用される。薄膜の特性は，使用される基板の特性に部分的に依存する。これらの仕様は，デバイスの製造に適した薄膜に成長に使用するために必要な判定基準の仕様を提供し，サファイア基板の表記法を統一するためのものである。 　 Referenced SEMI StandardsSEMI M1 — Specifications for Polished Monocrystalline Silicon WafersSEMI M3 — Specifications for Polished Monocrystalline Sapphire SubstratesSEMI MF26 — Test Method for Determining the Orientation of a Semi-conductive Single CrystalSEMI MF523 — Practice for Unaided Visual Inspections of Polished Silicon Wafer SurfacesSEMI MF533 — Test Method for Thickness and Thickness Variations of Silicon WafersSEMI MF671 — Test Method for Measuring Flat Length on Wafers and Other Electronic MaterialsSEMI MF847 — Test Method for Measuring Crystalographic Orientation of Flats on Single Crystal Silicon Wafers by X-ray TechniquesSEMI MF928 — Test Method for Edge Contour of Circular Semiconductor Wafers and Rigid Disk SubstratesSEMI MF1810 — Test Method for Counting Preferentially Etched or Decorated Surface Defects in Silicon WaferSEMI MF2074 — Guide for Measuring Diameter of Silicon and Other Semiconductor Wafers