M01900 - SEMI M19 - バルク・ガリウムヒ素単結晶基板の電気的性質（仕様）

NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. 免責事項：　このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡ SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。   仕様として，3つの主なタイプに分けられる。すなわち，半絶縁性，n型及びp型である。これはガリウムヒ素（GaAs）の導電率の全範囲を含んでいる。   第3項では，必要とする導電率タイプを製造するためのドーパントの種類を規定し，更に細分化した検討を行っている。半絶縁性材料に対しては，特殊なケースとして分けて考えられてきた。   アンドープグレードA1とは，付加的なアニールやプロセスを必要とせずに成長後に高抵抗で安定した材料を表す。"高純度"なグレードA2材料とは，抵抗率を107 Ω-cm以上のレベルにするために，成長後の追加の熱処理を必要とする。このとき，大部分のグレードA2インゴットは，適切な温度サイクルの後に抵抗率特性が許容し得る範囲にまで高められるということを，大抵のサプライヤは示してきた。しかしながら，この現象は時間－温度サイクルの詳細事項に対して敏感であるので，そのような抵抗率の増大は全ての応用例について保証することはできない。それ故，ラベル"グレードA2"がこの材料を表すのに使用される。   クロミウムをドープすると高抵抗の材料が得られる。しかし，プロセス中にクロムが素早く拡散することや表面に蓄積する傾向があるため，グレード3.A.1や3.A.2程にはプロセスによく適合しない。したがって，この材料を"グレードA"とする。   等電価ドーパントの添加は抵抗率に著しく影響を及ぼさな